🖥️ Chart of the Day - US100: ตลาด KOSPI ร่วงหนัก เป็นสัญญาณเตือนถึงความเสี่ยงของ Nasdaq หรือไม่?

การร่วงลงอย่างหนักของ KOSPI จะฉุด Nasdaq ลงไปด้วยหรือไม่?

การซื้อขายในวันอังคารที่โซลเปรียบเสมือนแผ่นดินไหวครั้งใหญ่ ดัชนี KOSPI ร่วงลงลึกถึง 7.4% สู่ระดับ 5,914 จุด การดิ่งลงอย่างรวดเร็วส่งผลให้มีการเปิดใช้งานกลไก sidecar ซึ่งออกแบบมาเพื่อชะลอการปรับตัวลงที่รุนแรงหลังจากดัชนีเปลี่ยนแปลงแตะเกณฑ์ 5% ต้นเหตุสำคัญมาจากกลุ่มชิปหน่วยความจำ ซึ่งครองสัดส่วนมูลค่าตลาดขนาดใหญ่ในดัชนี นำโดย Samsung Electronics (-7.7%) และ SK Hynix (-8.8%) เนื่องจากทั้งสองบริษัทมีสัดส่วนรวมกันมากกว่า 50% ของดัชนี แรงเทขายอย่างหนักของทั้งคู่จึงส่งผลกระทบต่อทิศทางของดัชนีโดยตรง

ปัจจัยใดสร้างความกังวลให้ตลาด?

บริษัท ChangXin Memory Technologies (CXMT) จากประเทศจีน รายงานความสำเร็จในการพัฒนาสถาปัตยกรรมชิป DRAM (การออกแบบ 4F²) ซึ่งอาจเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำได้ 30–50% นอกจากนี้ บริษัทยังประกาศเตรียมส่งมอบตัวอย่างหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์แบบ HBM ในช่วงปลายปีนี้ ซึ่งเป็นกลุ่มสินค้าระดับพรีเมียมที่ Samsung, SK Hynix และ Micron ครองส่วนแบ่งตลาดเกือบทั้งหมดมาโดยตลอด

นี่ไม่ใช่ครั้งแรกที่เกิดเหตุการณ์เช่นนี้ ความตื่นตระหนกในระดับเดียวกัน (KOSPI ร่วงลงมากกว่า 8%) เคยเกิดขึ้นในเดือนกรกฎาคม ระหว่างการเปิดตัวหุ้น CXMT ในตลาดหลักทรัพย์เซี่ยงไฮ้ ตลาดจึงมีแนวโน้มตอบสนองต่อกระแสข่าวเรื่องการสูญเสียอำนาจผูกขาดมากกว่าข้อมูลความเป็นจริง The Korea Times ระบุว่า CXMT ยังคงเผชิญกับความท้าทายในการรักษาอัตราผลผลิต (yield) ของ HBM ให้มีเสถียรภาพ ขณะที่ Samsung และ SK Hynix กำลังอยู่ในขั้นตอนการทดสอบ HBM4E รุ่นใหม่อยู่แล้ว ส่วนแบ่งตลาด DRAM (ข้อมูลจาก Counterpoint, Q1): Samsung 38%, SK Hynix 29%, Micron 22% และ CXMT ประมาณ 8% ความได้เปรียบทางเทคโนโลยียังคงมีช่องว่างอย่างมีนัยสำคัญ

ผลกระทบต่อ Wall Street และความเสี่ยงเชิงระบบ

สัญญาณผลกระทบเริ่มปรากฏขึ้นแล้ว แต่ยังคงเป็นไปในลักษณะเฉพาะกลุ่ม ไม่ใช่ความเสี่ยงเชิงระบบ:

• Micron (-3.9% ในวันจันทร์) และ SanDisk (-6%) ตอบรับข่าวนี้โดยตรง เนื่องจากทั้งสองเป็นคู่แข่งโดยตรงของ CXMT ในกลุ่มหน่วยความจำเดียวกัน
• Nvidia (-1.3%), AMD (-2.3%) และ Broadcom (-1.9%) ปรับตัวลงน้อยกว่าอย่างเห็นได้ชัด ความแตกต่างสำคัญคือ Nvidia และ AMD เป็นผู้ออกแบบหน่วยประมวลผลและ GPU ไม่ใช่ผู้ผลิตหน่วยความจำ DRAM/NAND โดยตรง CXMT จึงไม่ได้เป็นคู่แข่งกับสองบริษัทนี้ แม้ว่าบริษัทเหล่านี้จะเป็นลูกค้าของ Samsung, SK Hynix และ Micron (เนื่องจากหน่วยความจำ HBM เป็นส่วนประกอบสำคัญของชิป AI) การมีหน่วยความจำราคาถูกลงและเข้าถึงได้ง่ายขึ้นจากผู้ผลิตจีน อาจช่วยลดต้นทุนการผลิต GPU ในระยะยาว ซึ่งไม่ได้ส่งผลเชิงลบต่อ Nvidia อย่างชัดเจน
• Nasdaq Composite ปรับตัวลดลง -0.4% ในวันจันทร์ ส่วน S&P 500 ลดลง -0.1% ขณะที่ Dow Jones ปรับขึ้น +0.4% ซึ่งสะท้อนว่าภาวะตื่นตระหนกยังไม่ลุกลามในวงกว้าง แต่เป็นการสับเปลี่ยนกลุ่มลงทุน (sector rotation) ออกจากหุ้นกลุ่มผู้ผลิตหน่วยความจำ อย่างไรก็ดี สัญญาซื้อขายล่วงหน้ายังคงเผชิญแรงเทขายต่อเนื่องในวันนี้

ความสัมพันธ์ระหว่างดัชนีมีนัยสำคัญ แต่ในปัจจุบันเริ่มเห็นการเคลื่อนไหวที่แยกตัวออกจากกันระหว่าง Nasdaq และ KOSPI แม้ว่า Nasdaq จะมีน้ำหนักกระจุกตัวสูง แต่ยังคงมีการกระจายการลงทุนในกลุ่มบริษัทเทคโนโลยีที่หลากหลายกว่า แหล่งที่มาของข้อมูล: Yahoo Finance, XTB

ภาพรวมที่กว้างขึ้น: ปัจจัยอื่นนอกเหนือจาก CXMT

Nasdaq ยังได้รับแรงกดดันจากปัจจัยแวดล้อมอื่น ได้แก่:

• ความผิดหวังต่อตัวเลขรายได้ของ OpenAI (ซึ่งกดดันหุ้น Oracle, Nvidia และ AMD ในสัปดาห์ที่ผ่านมา)
• อัตราผลตอบแทนพันธบัตรที่ปรับตัวสูงขึ้น (อายุ 10 ปี และ 30 ปี แตะระดับสูงสุดในรอบ 24 ปี)
• สถานการณ์ตึงเครียดทางภูมิรัฐศาสตร์ (ตะวันออกกลาง และราคาน้ำมันดิบ Brent ใกล้ระดับ 105 USD/bbl)
• ความกังวลทั่วไปเกี่ยวกับ "ฟองสบู่ AI" ร่วมกับความกว้างของตลาด (market breadth) ที่ต่ำมาก (ค่าความสัมพันธ์โดยนัยของ NDX อยู่ในเปอร์เซ็นไทล์ที่ 25 ของกรอบ 3 ปี ชี้ให้เห็นว่าการปรับขึ้นของตลาดขาดการกระจายตัวที่ดี จึงเปราะบางต่อการกลับทิศทางอย่างรวดเร็วหากมีปัจจัยลบเข้ามากระทบ)

สรุป

KOSPI สะท้อนถึงความเสี่ยงจากการกระจุกตัวของมูลค่าตลาดในหุ้นหน่วยความจำสองบริษัทเป็นหลัก มากกว่าที่จะเป็นดัชนีชี้นำทั่วไปสำหรับกลุ่มเทคโนโลยีทั้งหมดของสหรัฐฯ ความเสี่ยงต่อการลุกลามที่แท้จริงจำกัดอยู่ที่ Micron และ SanDisk ซึ่งเป็นคู่แข่งโดยตรงในตลาด DRAM/NAND แรงเทขายในกลุ่มนี้จึงมีปัจจัยพื้นฐานรองรับ และอาจรุนแรงขึ้นหาก CXMT ยืนยันความคืบหน้าในการผลิต HBM ส่วนกลุ่ม Nvidia, AMD และดัชนี Nasdaq 100 ในภาพรวม ความเสี่ยงยังคงเป็นทางอ้อมและมีผลจำกัด ผลกระทบใดๆ ต่อราคาชิ้นส่วนหน่วยความจำมีแนวโน้มเป็นกลางหรือเป็นบวกต่ออัตรากำไรของผู้ผลิต GPU มากกว่าที่จะส่งผลเสียโดยตรง

เมื่อพิจารณาว่า US100 ยังสามารถยืนเหนือแนวรับทางเทคนิคสำคัญ (29,400–30,000) และยังอยู่ในแนวโน้มขาขึ้น ข่าวจากเกาหลีใต้ในระยะนี้จึงดูเหมือนเป็นตัวกระตุ้นให้เกิดการสลับกลุ่มลงทุนและการขายทำกำไรในหุ้นกลุ่มหน่วยความจำเฉพาะกลุ่ม มากกว่าจะเป็นสัญญาณเตือนของการปรับฐานใหญ่ของดัชนี เว้นแต่จะมีปัจจัยลบระดับมหภาคอื่นๆ เข้ามาเสริมพร้อมกัน เช่น ผลประกอบการของกลุ่มธนาคารที่ต่ำกว่าคาด ตัวเลขเงินเฟ้อที่พุ่งสูงขึ้นเกินคาดในวันพฤหัสบดีหรือวันศุกร์ หรือการยกระดับความขัดแย้งในตะวันออกกลาง

การวิเคราะห์ทางเทคนิค US100

สัญญาซื้อขายล่วงหน้า Nasdaq 100 (US100) ปัจจุบันเคลื่อนไหวอยู่ที่ระดับประมาณ 30,700 จุด หลังย่อตัวลงมาในช่วงไม่กี่วันที่หลังจากทำสถิติสูงสุดเป็นประวัติการณ์เหนือระดับ 32,600 จุด โครงสร้างกราฟรายวันแสดงให้เห็นแนวโน้มขาขึ้นที่ต่อเนื่องนับตั้งแต่จุดต่ำสุดในเดือนเมษายน (~22,400 จุด) โดยเคลื่อนไหวอยู่เหนือเส้นแนวรับคู่ขนานสองเส้น (เส้นประสีเขียว) และถูกจำกัดไว้ด้วยเส้นแนวต้านขาลง (เส้นประสีแดง) ซึ่งราคาได้ทะลุผ่านขึ้นไปแล้วในเดือนสิงหาคม

จุดสำคัญอยู่ที่รูปแบบราคาในเดือนสิงหาคม–กันยายน ซึ่งตลาดปรับฐานลงมาที่โซน Fibonacci retracement 50.0–61.8% (29,072–29,510 จุด) โดยมีแรงซื้อเข้ามาพยุงไว้สองครั้ง (แสดงด้วยโซนสีส้มและลูกศรสีน้ำเงิน) สิ่งนี้นำไปสู่การปรับตัวขึ้นอย่างแข็งแกร่งสู่ระดับ ATH ใหม่ใกล้ระดับ Fibonacci extension 161.8% (33,219 จุด)

ราคาได้ย่อตัวลงจากจุดสูงสุดและกำลังพักตัวอยู่เหนือเส้น SMA25 (30,430) และ SMA50 (30,002) โดยเส้นค่าเฉลี่ยทั้งสองยังคงชี้ขึ้นและสนับสนุนโครงสร้างขาขึ้น ค่า RSI(14) อยู่ที่ 53 ซึ่งอยู่ในระดับเป็นกลาง โดยไม่มีสัญญาณการซื้อมากเกินไป (overbought) ทำให้มีพื้นที่รองรับการเคลื่อนไหวได้ทั้งสองทิศทาง ตัวบ่งชี้ MACD แสดงฮิสโตแกรมที่อ่อนแรงลงแต่ยังคงอยู่ในแดนบวก บ่งชี้ถึงโมเมนตัมที่ชะลอตัวลงแต่ยังไม่ได้กลับทิศทาง

ตราบใดที่ราคายังสามารถยืนเหนือ 29,400–29,500 จุดได้ โครงสร้างแนวโน้มขาขึ้นจะยังคงไม่เปลี่ยนแปลง การหลุดต่ำกว่าโซนนี้อาจเปิดโอกาสให้เกิดการปรับฐานที่ลึกขึ้นสู่ระดับ 28,000–28,400 จุด